以国产SiC MOSFET(B3M013C120Z)为例开云kaiyun,阐明国产碳化硅功率器件的期间朝上与由此带来的市集变革分析 一、期间突破:国产SiC MOSFET的中枢竞争力 以基本半导体B3M013C120Z为例,国产SiC MOSFET在以下要道范畴罢了了权臣朝上: 导通电阻(R_DS(on))优化 性能阐明:B3M013C120Z的导通电阻低至13.5 mΩ(V_GS=18V, 25°C)。 期间技能:通过银烧结工艺(贬低往来电阻)、优化的芯片布局盘算推算(减少寄生电容)以及高品...
2025-03-08